凌锐半导体李博士出席高峰论坛，共绘碳化硅芯片新篇章

       2023年11月2日-3日，合肥，2023年第二届功率半导体器件及应用创新高峰论坛，旨在提供协同创新的高质量交流平台，推动国内功率半导体行业的学术研究、技术进步和产业发展。凌锐半导体的李防化博士受邀发表演讲，与业内精英共同探讨未来趋势，擘画行业发展新蓝图。

       李防化博士，凌锐半导体联合创始人。李博士在欧洲取得博士学位后，加入英飞凌欧洲功率器件研发中心工作多年，并担任全球碳化硅产品经理，工艺集成工程师等多个岗位，负责CoolSiC，CoolMOS，OptiMOS等多个产品岗位。归国后，李博士曾任职于华润微电子，主导其车规功率器件的布局。李博士在半导体功率器件领域有十几年的经验，是业内的资深专家。

       李博士的演讲主题，围绕着碳化硅的发展及在储能市场中的机遇。碳化硅作为一种高性能的半导体材料，在储能市场中具有广泛的应用前景。碳化硅MOS能够提升储能系统效率、增强储能系统可靠性、快速响应新能源的市场需求、推动储能系统性能的提升和成本的降低，从而成为储能技术的理想选择。

       本次高峰论坛，吸引了众多的专业人士，他们来自各个领域，对半导体功率器件的前沿动态和未来发展有着浓厚的兴趣，大家相互交流热点问题和挑战，分享最新的研究成果和创新实践。

       我们与业界同仁进行了深入探讨，收获了新的启发和思考，为公司未来的技术发展提供了宝贵的借鉴和参考。我司将继续加大在功率器件领域的研发投入，并保持与合作伙伴的密切交流与合作，共同推动功率器件领域的大力发展。